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頂立科技參加第三代半導(dǎo)體SiC單晶生長技術(shù)交流會

發(fā)布時間:2024-04-25發(fā)布人:瀏覽:
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頂立科技參加第三代半導(dǎo)體SiC單晶生長技術(shù)交流會 (2).jpg

頂立科技參加第三代半導(dǎo)體SiC單晶生長技術(shù)交流會 (1).jpg

4月25日,由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會“在蘇州隆重召開。頂立科技受邀參會。

頂立科技憑借材料工藝與熱工裝備高度鍥合的技術(shù)優(yōu)勢,攻克了第三代半導(dǎo)體碳化硅、氨化鎵“單晶生長用原材料和熱場材料的關(guān)鍵制備技術(shù),研制的高純碳粉、高純石墨、高純碳纖維保溫材料和碳化硅/碳化鉭涂層石墨構(gòu)件等,性能指標(biāo)達(dá)國際領(lǐng)先水平,主要應(yīng)用于航空航天、新能源、電子電器、光伏等領(lǐng)域。

碳化鉭涂層構(gòu)件.jpg


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